JKZC-GSTS08型氣體傳感器陣測(cè)試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞:氣敏，傳感器，動(dòng)態(tài)，靜態(tài),MEMS

（一）系統(tǒng)簡(jiǎn)介

　　JKZC-GSTS08氣體傳感器陣測(cè)試系統(tǒng)主要完成氣體敏感材料及氣敏傳感器器件的性能檢測(cè)和評(píng)價(jià)，適用氣體范圍包括常溫是氣態(tài)的氣體和部分揮發(fā)性液體，如乙醇、苯等，濕敏作為氣敏的一個(gè)分支，此系統(tǒng)可完成水的絕對(duì)含量和相對(duì)濕度(%RH)的敏感性評(píng)價(jià)。

　　JKZC-GSTS08氣體傳感器陣測(cè)試系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)控制下的動(dòng)態(tài)配氣方式實(shí)現(xiàn)對(duì)傳感器各類(lèi)相關(guān)性能指標(biāo)的測(cè)試，消除了傳統(tǒng)靜態(tài)配氣帶來(lái)的方法誤差，借助內(nèi)置的多項(xiàng)實(shí)驗(yàn)方法，能快速地完成氣敏材料和元器件的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數(shù)的檢測(cè)， 協(xié)助進(jìn)行氣敏材料的特性研究、工藝開(kāi)發(fā)和器件生產(chǎn)中生產(chǎn)檢驗(yàn)和質(zhì)量控制。整套測(cè)試系統(tǒng)由計(jì)算機(jī)、測(cè)試機(jī)箱、配氣機(jī)箱、檢測(cè)氣室（檢測(cè)模塊）等組成，檢測(cè)對(duì)象覆蓋目前常用氣敏傳感器和氣敏材料，如金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感、熱催化式傳感、光催化式傳感、 電化學(xué)傳感、MEMS氣敏、氧化鋯氧傳感、生物傳感、有機(jī)材料傳感、光電式傳感等，通過(guò)配用不同的檢測(cè)氣室(模塊)，可以快速進(jìn)行切換和測(cè)量。是生產(chǎn)單位和科研院校的重要設(shè)備。

（二）主要特點(diǎn)

1、軟硬件操作簡(jiǎn)便，穩(wěn)定可靠，測(cè)試系統(tǒng)擴(kuò)展性好；

2、軟件可完成全部相關(guān)的測(cè)控工作，有操作向?qū)Ш投鄠€(gè)默認(rèn)測(cè)試方法，應(yīng)用上手快；

3、對(duì)復(fù)雜或重復(fù)性過(guò)程，可自定義測(cè)試流程，降低工作量；

4、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)處理等多窗口可同時(shí)進(jìn)行，數(shù)據(jù)可導(dǎo)出；

5、支持金屬氧化物半導(dǎo)體、催化燃燒、電化學(xué)等多種類(lèi)型氣敏測(cè)量，且通過(guò)更換氣室即可實(shí)現(xiàn)；

6、支持動(dòng)態(tài)混氣和靜態(tài)混氣方式

（三）主要技術(shù)參數(shù)

JKZC-QT08可以配用不同的檢測(cè)氣室/模塊，下表為三種主要類(lèi)型氣敏傳感器的指標(biāo)，具體指標(biāo)根據(jù)應(yīng)用要求的不同可能會(huì)有變化。

優(yōu)勢(shì)（1）：動(dòng)態(tài)和靜態(tài)氣體混氣測(cè)量

動(dòng)態(tài)和靜態(tài)方式是以進(jìn)行測(cè)試時(shí)氣體是不流動(dòng)還是處于穩(wěn)定流動(dòng)態(tài)來(lái)區(qū)別的。

采用流量調(diào)節(jié)閥控制組分的流量，實(shí)現(xiàn)測(cè)試氣源的稀釋           在背景氣容器中，注入定容的氣體或液氣

（三）測(cè)試方法

　　測(cè)試方法是基于儀器操控、數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)處理之上，為便于快速完成特點(diǎn)參數(shù)和性能的測(cè)量而內(nèi)置的自動(dòng)化流程。軟件設(shè)置了多項(xiàng)測(cè)試方法， 通過(guò)新測(cè)試向?qū)Э梢苑奖愕剡M(jìn)行切換和參數(shù)配置，下圖為靈敏度測(cè)試中常用的兩種方法。

                    方法一（靈敏度脈沖法）

                     方法二（靈敏度臺(tái)階法）

（四）器件檢測(cè)氣室

　　測(cè)試系統(tǒng)支持多種類(lèi)型和封裝尺寸氣敏傳感器，氣敏材料采用不同工藝手段形成器件，通過(guò)器件檢測(cè)氣室進(jìn)行氣敏性能檢測(cè)。

常用氣室如下：

1-1、材料檢測(cè)氣室

　　材料氣室的開(kāi)發(fā)，為獨(dú)立檢測(cè)和評(píng)價(jià)金屬氧化物材料、有機(jī)材料、光催化材料等多種敏感材料的性能提供了可靠的測(cè)試環(huán)境。 經(jīng)過(guò)應(yīng)用總結(jié)，在一代氣室的基礎(chǔ)上改進(jìn)升級(jí)出了二代氣室，屬于產(chǎn)品。

二代材料氣室與一代相比，做了多項(xiàng)改進(jìn)：

1、氣室死體積減小了65%，進(jìn)一步縮短氣室氣體置換所需時(shí)間；

2、提高了樣品臺(tái)溫度的均勻性和準(zhǔn)確性，溫度偏差<0.2，提高了對(duì)梯度升溫控制的支持

3、裝夾樣品操作更便利，帶防燙手；

4、采用金合金探針，強(qiáng)度高、耐高溫、耐腐蝕；

5、氣室頂端設(shè)置有觀察窗，便于觀察樣品變化；

6、氣室氣體流路經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，氣流均勻穩(wěn)定。

傳感器氣敏材料制樣

氣敏傳感器的制樣是氣敏性能測(cè)試的關(guān)鍵，不同類(lèi)型傳感器制樣方法不同，下面以的金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏材料為例介紹制樣方法。
金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏傳感器分為旁熱式（陶瓷管式）和直熱式（平面基本式）兩大類(lèi)，其制作方法如下：

將適量的敏感材料置于研缽中研磨，可加入無(wú)水乙醇、去離子水、乙基纖維素和松油醇粘合劑等溶劑，使材料均勻地粉化為糊狀

通過(guò)潔凈軟毛刷使糊狀粉體均勻地涂覆于帶有電極的陶瓷管或陶瓷片表面，待測(cè)粉體要覆蓋住電極，且不能過(guò)厚，以免影響電阻值和脫落

將涂好的樣品置于烘箱中干燥，使溶劑揮發(fā)

將樣品放入加熱爐，在設(shè)定溫度下（二氧化錫一般為600℃-650℃ 1小時(shí)）燒結(jié)

若使用陶瓷管樣品，需要利用電烙鐵將元件焊接到相應(yīng)的底座上，并在陶瓷管中插入一根加熱絲（通常為Ni-Gr）

為使器件能夠擁有更加良好的穩(wěn)定度，一般可將器件進(jìn)行不低于24小時(shí)的老化處理（保持電阻絲兩端電壓穩(wěn)定，防止器件脫焊）

知識(shí)拓展

原位生長(zhǎng)（合成）法也是金屬基復(fù)合材料常用的的制備方法，指在不摻雜其他復(fù)雜元素和一定條件下，利用不同元素或化學(xué)物質(zhì)之間的反應(yīng)在體系內(nèi)直接合成新型 復(fù)合材料的方法，其原理是通過(guò)控制反應(yīng)條件以控制材料的晶體的生長(zhǎng)方向，從而控制三維結(jié)構(gòu)的形成。原位合成法大致分為氣-液、固-液及液-液反應(yīng)三大類(lèi)。

MEMS氣敏主要應(yīng)用方向是半導(dǎo)體氣敏傳感，實(shí)現(xiàn)了氣敏傳感技術(shù)和IC技術(shù)的融合，將氣敏元件、加熱器和測(cè)溫元件集成到一塊芯片上，進(jìn)行溫度的精確控制，主 要分為硅基MEMS和硅MEMS氣敏兩大類(lèi)。
常用氣源制取方法

有多種方法可以獲取氣敏測(cè)試的氣源，它們有各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用的場(chǎng)景，常用方法如下表：

氣體濃度范圍

氣體濃度的表示有體積濃度、質(zhì)量濃度、摩爾濃度等，的是體積濃度。